SJ 50033.89-1995 半导体分立器件.CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
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ID： |
070B371D043A4E4F8D00E39818F20500 |
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文件大小(MB)： |
0.57 |
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页数： |
15 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/89-1995,半导体分立器件,CS 6768 和 CS 6770 型,硅N沟道增强型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS 6768and CS 6770,silicon N channel enhancement mode field effect transistor,1995-05-25 发布1995-12.0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标淮,半导体分立器件,CS6768 和 CS6770 型,硅N沟道增强型场效应晶体管 SJ 50033/89-1995,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS6768 and CS6770,Silicon N-channel enhancement mode field-effect transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS6768和CS6770型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管（以下简称,器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按按GJB 33《半导体分立器件总规范》1 . 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和,超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 -85半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,SJ 50033/89-1995,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或铜。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂,层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道MQS增强型外延平面结构。不允许多个芯片结构,3.2.3 外形尺十寸,外形尺寸按GB 758I的A3 -O1B型及如下规定,见图!0,2,S3 50033/89-1995,B2-01C,最 小标 称最 大,レ— — 1.52,炉3.84 一4.21,q 29.90 — 30.40,% — 一13.58,& — — 4.82,S 一16.89 —,5 一— 40，13,U1 一—— 2747,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号Tc = 25C,(W),Pg,77 = 25 匕,(W),Vds,(v),Vdg,(V),Vgs,(V),増,Tc = 25*,(A),An,Tc=100C,(A),ば,(A),Idm,(A),Top和,J,(t),Vns、—dg,（低气压）,（V）,CS6768,150 4,400 400,±20,14 9 14 60 -55-,+ 150,400,CS6770 500 500 12 7.75 12 52 500,注:l）Tc>25C时,按1.2W/セ的速率线性降额,2）超过Tc = 25七时的降额按公式,P（额定值）,式中;P（额定值）= [150-（1-25）（1.2）,K=『關由）的最大值（在「= i50E下）,3.3.2主要电特性（Ta = 25C）,型号,v^=ov,『D = IniA,(V),Vgscmi,Vos》Vqs,Id = 0.25mA,(V),『DSSI,30V,匕《 : 80%的,Ves额定值,（M）,rD?on),Vqs=10V,(fl),Kmc,(C/W),Tj = 25t,在【D!下,Ti = 150C,在h下,CS6768 >400,2~4 <25,<0.3 40.75,《0.83,CS6770 >500 <0.4 <1,0,注:1）脉神法（见4.5.1）,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,—* 3,SJ 50033/89-1995,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,3.6 静电放电保护,本规范规定的各种器件要求静电保护（见6.4）,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅选GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表!进行,超过本规范表!极,限值的器件应予剔除,筛 选,(GJB 33 表 2),测试或试験,3 试验条件F,但低温为ー55セ和20个楣环除外,1) 2) 见4.5.4,1) 见 4.5.3,1) 见4.5.5,6 1042方法的试验条件B,7 【GSSnん薦8!、尸!尊《（ユい^03（由）い,8 KW2方法的试验条件A,9 本规范表1的A2分组;,△［改=± 20nA或初始值的:！: 100%,取较大者;,ム1国产士20设或初始值的士1。。％,取较大者;,Ahsuoア初始值的士2。％;,A匕凝时广初始值的±20%;,注;D应在筛选6以前的任……
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